SÜSS MicroTec — HP8 Hotplate
Manuelle Heizplatte für Lithographieprozesse in Forschung und Entwicklung
Die SÜSS HP8 Hotplate wurde speziell für die Anforderungen der Forschung und kleinen Serienfertigung entwickelt. Sie bietet eine homogene Temperaturverteilung und programmierbare Heizrampen für konstante und stabile Prozessresultate.
Technische Daten
- Substratgröße
- Bis zu 200 mm rund oder 6" quadratisch
- Temperaturbereich
- Bis 200 °C
- Heizsystem
- Mehrere Meter Heizdrähte in der Basisplatte für gleichmäßige Temperaturverteilung
- Oberflächenbeschichtung
- Hochleistungs-Schutzbeschichtung für erhöhte mechanische und chemische Beständigkeit
- Steuerung
- Einfache Bedienung über grafisches Touchscreen-Interface
- Optionen
- Lift-Pins, Proximity-Bake, Stickstoffspülung
Prozessparameter für verschiedene Photoresiste
Empfohlene Prozessparameter für Softbake und Post Exposure Bake (PEB) der eingesetzten Resiste:
AR 300-80 neu
| Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweis |
|---|---|---|---|
| Temperung | bis 180 °C | 120 s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| Post Exposure Bake (PEB) | - | - | Nicht benötigt |
AR-P 3120
| Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweis |
|---|---|---|---|
| Softbake | 100 °C | 120 s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| Post Exposure Bake (PEB) | - | - | Nicht benötigt |
AR-P 3540
| Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweis |
|---|---|---|---|
| Softbake | 100 °C | 120 s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| Post Exposure Bake (PEB) | - | - | Nicht benötigt |
AR-N 4400-05
| Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweis |
|---|---|---|---|
| Softbake | 90 °C | 240 s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| Post Exposure Bake (PEB) | 100 °C | 300 s | Vernetzung des Photoresistes |
AR-N 4400-10
| Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweis |
|---|---|---|---|
| Softbake | 90 °C | 900 s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| Post Exposure Bake (PEB) | 100 °C | 600 s | Vernetzung des Photoresistes |