Hotplate HP 8
Die SÜSS HP8 Hotplate ist eine manuelle Heizplatte für Lithographieprozesse in Forschung und Entwicklung und wurde speziell für die Anforderungen der Forschung und kleinen Serienfertigung entwickelt. Sie bietet eine homogene Temperaturverteilung und programmierbare Heizrampen für konstante und stabile Prozessresultate.
Technisch Daten
- Substratgröße: bis zu 200mm für runde Substrate; 6" für quadratische Susbtrate
- Temperaturbereich: bis 200°C möglich
- Heizsystem: mehrere Meter Heizdraht unter der Heizplatte für eine homogene Temperaturverteilung
- Oberflächenbeschichtung (Heizplatte): Hochleistungsschutzbeschichtung für eine erhöhte chemische und mechanische Beständigkeit
- Steuerung: Bedienung über grafisches Touchscreen-Interface
- Optionen: Lift-Pins, Proximity-Bake, Stickstoffspülung
Prozessparameter für verschiedene Photoresiste
Empfohlene Prozessparameter für Softbake und Post Exposure Bake (PEB) der eingesetzten Resiste:
| Photoresist | Prozessschritt | Temperatur | Zeit | Hinweise/Bemerkungen |
|---|---|---|---|---|
| AR 300-80 neu | Softbake | bis 180°C | 120s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| AR-P 3120 | Sotbake | 100°C | 120s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| PEB | - | - | Nicht benötigt | |
| AR-P 3540 | Softbake | 100°C | 120s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| PEB | - | - | Nicht benötigt | |
| AR-N 4400-05 | Softbake | 90°C | 240s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| PEB | 100°C | 300s | Vernetzung des Photoresistes | |
| AR-N 4400-10 | Softbake | 90°C | 900s | Verdampfung des Lösungsmittels |
| PEB | 100°C | 600s | Vernetzung des Photoresistes |
Weiterführende Links und Quellen: