Messtechnik und Charakterisierung
Im Bereich Messtechnik und Charakterisierung stehen ein Rasterelektronenmikroskop (REM), Profilometer, AFM und verschiedene Lichtmikroskope zur Verfügung. Ein manueller Waferprober mit Messtechnik ermöglicht elektrische Charakterisierungen, ein Spreading-Resistance-Messplatz die Bestimmung von Dotierprofilen. Ergänzend können Bauelemente und Proben in einem Klimaschrank unter definierten Umgebungsbedingungen getestet werden. Die Messtechnik wird in Forschungsprojekten sowie in Lehrveranstaltungen und Laborpraktika eingesetzt.
Methoden und Geräte
- Bestimmung von Waferdicke, BOW, WARP, TTV und Schichtspannung: Wafergeometrie-Tester MX203, Eichhorn+Hausmann
- Optische Bestimmung von Dünnschichtdicken (spektroskopische Ellipsometrie): Ellipsometer UVISEL plus, Horiba und AutoEL3, Rudolph Research
- Mechanische Oberflächenprofilometrie und Schichtdickenmessung: Profilometer Dektak 150, Veeco Instruments Inc.
- Optische Inspektion in Aufbau- und Verbindungstechnik / AFM-Träger: Lichtmikroskop Axiotron, Zeiss
- Probenpräparation für das REM (Leitfähigkeitsbeschichtung): SEM Coating Unit E5100, POLARON EQUIPMENT Ltd.
- Elektronenmikroskopische Kontrolle von Proben: Rasterelektronenmikroskop S4160, Hitachi Ltd. Corporation
- Vierpunktmessung von Schichtwiderständen und Leitwerten: 4-Spitzen-Messplatz FPP5000, Veeco Instruments Inc.
- Spreading-Resistance-Messung von Dotierprofilen: Spreading Resistance Messplatz ASR100, SSM
- Elektrische Charakterisierung an Chips (Nadelprober): TS 150, MPI
- Topographieerfassung im Nanometerbereich (AFM): Atomkraftmikroskop NANOS, Bruker